Arbeitsspeicher (RAM) Speicher mit Hersteller: Transcend, Übertragungsrate bis 5200MT/s, CL Vorgangsdauer bis 14.3ns heise preisvergleich Deutschland

	Standard:	DDR4(59) DDR3(38) DDR2(1)
	Typen:	DIMM(58) SO-DIMM(40) Sideband ECC(15) ohne ECC(83) Registered Modul(9) kein Registered Modul(89) Buffered Memory(9) Unbuffered Memory(89) ohne Clock Driver(98) Modul ohne Beleuchtung(98) kein NVDIMM(98)
	Hersteller:	Acer ADATA AFOX AntecMemory Apacer Corsair Crucial G.Skill GIGABYTE Goldkey goodram HP Innovation IT Integral Intenso Kingston Klevv Lexar Micron Mushkin Nanya Patriot PNY Samsung Silicon Power SK hynix TeamGroup Thermaltake Transcend(98)Entfernen V7 Alle
	Packungsgröße ab:	ab 2GB(98) ab 4GB(90) ab 8GB(59) ab 16GB(28) ab 32GB(9)
	Packungsgröße bis:	bis 2GB(8) bis 4GB(39) bis 8GB(70) bis 16GB(89) bis 32GB(98)
	Kitgröße:	ab 32GB(1) unbekannt(97)
	Einzelmodulgröße:	32GB(8) 16GB(20) 8GB(31) 4GB(31) 2GB(8)
	Module Anzahl:	1x(97) 2x(1)
	Übertragungsrate:	800MT/s(1) 1066MT/s(1) 1333MT/s(14) 1600MT/s(22) 1866MT/s(1) 2133MT/s(6) 2400MT/s(9) 2666MT/s(22) 3200MT/s(22)
	Übertragungsrate ab:	ab 800MT/s(98) ab 1066MT/s(97) ab 1333MT/s(96) ab 1600MT/s(82) ab 1866MT/s(60) ab 2133MT/s(59) ab 2400MT/s(53) ab 2666MT/s(44) ab 3200MT/s(22)
	Übertragungsrate bis:	bis 800MT/s(1) bis 1066MT/s(2) bis 1333MT/s(16) bis 1600MT/s(38) bis 1866MT/s(39) bis 2133MT/s(45) bis 2400MT/s(54) bis 2666MT/s(76) bis 3200MT/s(98) bis 5200MT/s(98)Entfernen Alle
	Column Address Strobe Latency (CL):	5(1) 7(1) 9(14) 11(22) 13(1) 15(6) 17(9) 19(22) 22(22)
	CL Vorgangsdauer ab:	ab 12.5ns(98) ab 13.1ns(97) ab 13.5ns(96) ab 13.7ns(82) ab 13.9ns(38) ab 14.0ns(37) ab 14.1ns(31) ab 14.2ns(22)
	CL Vorgangsdauer bis:	bis 12.5ns(1) bis 13.2ns(2) bis 13.5ns(16) bis 13.8ns(60) bis 14.0ns(61) bis 14.1ns(67) bis 14.2ns(76) bis 14.3ns(98)Entfernen Alle
	Row-to-Column Delay (tRCD):	9(9) 11(8) 13(1) 15(5) 17(7) 19(21) unbekannt(47)
	tRCD Vorgangsdauer ab:	ab 13.5ns(51) ab 13.7ns(42) ab 13.9ns(34) ab 14.0ns(33) ab 14.1ns(28) ab 14.2ns(21) unbekannt(47)
	tRCD Vorgangsdauer bis:	bis 13.5ns(9) bis 13.8ns(17) bis 14.0ns(18) bis 14.1ns(23) bis 14.2ns(30) bis 14.3ns(51) unbekannt(47)
	Row Precharge Time (tRP):	9(9) 11(8) 13(1) 15(5) 17(7) 19(21) unbekannt(47)
	tRP Vorgangsdauer ab:	ab 13.5ns(51) ab 13.7ns(42) ab 13.9ns(34) ab 14.0ns(33) ab 14.1ns(28) ab 14.2ns(21) unbekannt(47)
	tRP Vorgangsdauer bis:	bis 13.5ns(9) bis 13.8ns(17) bis 14.0ns(18) bis 14.1ns(23) bis 14.2ns(30) bis 14.3ns(51) unbekannt(47)
	Active-to-Precharge Time (tRAS):	24(6) unbekannt(92)
	tRAS Vorgangsdauer ab:	ab 36.0ns(6) unbekannt(92)
	tRAS Vorgangsdauer bis:	bis 36.1ns(6) unbekannt(92)
	Rank:	single(48) dual(47) unbekannt(3)
	Betriebsspannung laut Standard:	1.2V(59) 1.35V(11) 1.5V(27) 1.8V(1)
	Betriebsspannung laut Spezifikation:	1.2V(59) 1.35V(11) 1.5V(27) 1.8V(1)
	Module mit Normhöhe (JEDEC):	DDRx DIMM (31.25mm/1.23")(33) DDRx DIMM/SO-DIMM (30mm/1.18")(65)
	Modulhöhe ab:	ab 30mm(98) ab 31.25mm(33)
	Modulhöhe bis:	bis 30mm(65) bis 31.25mm(98)
	Gehäuse:	N/A(98)
	Beleuchtung:	keine(98)
	Besonderheiten:	low voltage(11)
	Garantie:	3 Jahre(2) unbekannt(96)
	Gelistet seit:	unter 2008(1) ab 2010(97) ab 2011(90) ab 2012(88) ab 2013(73) ab 2014(72) ab 2015(65) ab 2016(59) ab 2017(48) ab 2018(45) ab 2019(41) ab 2020(36) ab 2021(16) ab 2023(5) ab 2024(4) ab 2025(3)
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Letzte Aktualisierung: 02.09.2025, 16:36

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